MOSFET Texas Instruments, canale N 100 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, VSONP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
208-8483
Codice costruttore:
CSD19531Q5A
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NexFET

Tipo di package

VSONP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.9mm

Altezza

900μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

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