MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 100 V, 15.1 mΩ Miglioramento, 50 A, 8 Pin, VSONP, Superficie
- Codice RS:
- 208-8486
- Codice costruttore:
- CSD19534Q5A
- Costruttore:
- Texas Instruments
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1212,50 €
(IVA esclusa)
1480,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 7500 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,485 € | 1.212,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 208-8486
- Codice costruttore:
- CSD19534Q5A
- Costruttore:
- Texas Instruments
Specifiche
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Texas Instruments | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 63W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.8 mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 5.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Texas Instruments | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 63W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.8 mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 5.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
-
-
Link consigliati
- MOSFET Texas Instruments 15.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie CSD19534Q5A
- MOSFET Texas Instruments 12.9 mΩ Miglioramento VSONP, Superficie
- MOSFET Texas Instruments 12.9 mΩ Miglioramento VSONP, Superficie CSD17578Q3AT
- MOSFET Texas Instruments 1.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Texas Instruments 6.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Texas Instruments 128 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Texas Instruments 2.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Texas Instruments 2.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
