MOSFET Texas Instruments, canale N 30 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 3 A, 8 Pin, VSONP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1405,00 €

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Codice RS:
208-8479
Codice costruttore:
CSD17575Q3
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

VSONP

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

108W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4mm

Altezza

1mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

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