MOSFET Infineon, canale N 800 V, 3.3 Ω Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R3K3P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9051
Codice costruttore:
IPD80R3K3P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

18W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

La più recente serie Infineon CoolMOS P7 800V rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di giunzione super 800V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di giunzione super di Infineon da oltre 18 anni. Questi sono facili da guidare e da collegare in parallelo, consentendo una maggiore densità di potenza, risparmi BOM e costi di assemblaggio ridotti. Questi sono consigliati per topologie fly-back a commutazione hard e soft per illuminazione a LED, caricabatterie e adattatori a bassa potenza, audio, alimentazione AUX e alimentazione industriale.

Viene fornito con un portafoglio completamente ottimizzato

Diodo Zener integrato con protezione ESD

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