MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 3.3 Ω Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R3K3P7ATMA1
- Codice RS:
- 214-9051
- Codice costruttore:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
13,65 €
(IVA esclusa)
16,65 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,546 € | 13,65 € |
| 125 - 225 | 0,519 € | 12,98 € |
| 250 - 600 | 0,497 € | 12,43 € |
| 625 - 1225 | 0,476 € | 11,90 € |
| 1250 + | 0,442 € | 11,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9051
- Codice costruttore:
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 18W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 18W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 2.41mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La più recente serie Infineon CoolMOS P7 800V rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di giunzione super 800V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di giunzione super di Infineon da oltre 18 anni. Questi sono facili da guidare e da collegare in parallelo, consentendo una maggiore densità di potenza, risparmi BOM e costi di assemblaggio ridotti. Questi sono consigliati per topologie fly-back a commutazione hard e soft per illuminazione a LED, caricabatterie e adattatori a bassa potenza, audio, alimentazione AUX e alimentazione industriale.
Viene fornito con un portafoglio completamente ottimizzato
Diodo Zener integrato con protezione ESD
