MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.8 Ω Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R2K8CEATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 15 unità*

10,605 €

(IVA esclusa)

12,945 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1875 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
15 - 600,707 €10,61 €
75 - 1350,671 €10,07 €
150 - 3600,643 €9,65 €
375 - 7350,615 €9,23 €
750 +0,572 €8,58 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4675
Codice costruttore:
IPD80R2K8CEATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

Link consigliati