MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.8 Ω Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R2K8CEATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4675
Codice costruttore:
IPD80R2K8CEATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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