MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
220-7375
Codice costruttore:
IPB019N08N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS è leader di mercato nelle soluzioni altamente efficienti per la generazione di energia (ad es. Micro inverter solare), l'alimentazione (ad es. Server e telecomunicazioni) e il consumo energetico (ad es. Veicolo elettrico).

Tecnologia ottimizzata per i convertitori c.c./c.c.

Prodotto con eccellente carica di gate x R DS(ON) (FOM)

Eccellente resistenza termica

Raffreddamento su due lati

Bassa induttanza parassita

Profilo basso (<0,7 mm)

Canale N, livello normale

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