MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB019N08N3GATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

4,10 €

(IVA esclusa)

5,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 934 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 +2,05 €4,10 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7376
Codice costruttore:
IPB019N08N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS è leader di mercato nelle soluzioni altamente efficienti per la generazione di energia (ad es. Micro inverter solare), l'alimentazione (ad es. Server e telecomunicazioni) e il consumo energetico (ad es. Veicolo elettrico).

Tecnologia ottimizzata per i convertitori c.c./c.c.

Prodotto con eccellente carica di gate x R DS(ON) (FOM)

Eccellente resistenza termica

Raffreddamento su due lati

Bassa induttanza parassita

Profilo basso (<0,7 mm)

Canale N, livello normale

Link consigliati