MOSFET Infineon, canale N, 0,005 O., 106 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

La Infineon combina la più recente tecnologia al silicio MOSFET di potenza HEXFET per uso automobilistico con l'Advanced Packaging Platform per ottenere una bassa perdita di commutazione e stato attivo combinata in un contenitore che ha l'ingombro di UN profilo SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio su circuito stampato e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione, ecc. il contenitore consente il raffreddamento a due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione, migliorando la migliore resistenza termica precedente dell'80%.

Basse perdite di conduzione e commutazione
Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza