MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7 mΩ Miglioramento, 86 A, 4 Pin, MN, Superficie IRF6648TRPBF
- Codice RS:
- 130-0948
- Codice costruttore:
- IRF6648TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 130-0948
- Codice costruttore:
- IRF6648TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 86A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | MN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 89W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.35mm | |
| Altezza | 0.5mm | |
| Larghezza | 5.05 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 86A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package MN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 89W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.35mm | ||
Altezza 0.5mm | ||
Larghezza 5.05 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon
Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate.
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