MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 100 mΩ Miglioramento, 19 A, 7 Pin, DirectFET, Superficie IRF6785MTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2581
Codice costruttore:
IRF6785MTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

DirectFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 200V in un contenitore DirectFET MZ con valore nominale di 19 ampere ottimizzato con bassa resistenza in stato attivo. Questo MOSFET audio digitale è progettato appositamente per applicazioni di amplificatori audio di classe D. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Inoltre, la carica di gate, il recupero inverso corpo-diodo e la resistenza di gate interna sono ottimizzati per migliorare i principali fattori di prestazioni dell'amplificatore audio di classe D, come efficienza, THD ed EMI. Il dispositivo IRF6785MPbF utilizza la tecnologia di packaging DirectFETTM. La tecnologia del contenitore DirectFETTM offre una minore induttanza parassita e resistenza rispetto al contenitore SOIC tradizionale legato a filo.

La più recente tecnologia al silicio MOSFET

Parametri chiave ottimizzati per applicazioni di amplificatori audio di classe D.

Compatibile con il raffreddamento a due lati

Senza piombo (con qualifica fino a 260 °C di riflusso)

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