MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 100 mΩ Miglioramento, 19 A, 7 Pin, DirectFET, Superficie IRF6785MTRPBF
- Codice RS:
- 215-2581
- Codice costruttore:
- IRF6785MTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2581
- Codice costruttore:
- IRF6785MTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | DirectFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 57W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package DirectFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 57W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 200V in un contenitore DirectFET MZ con valore nominale di 19 ampere ottimizzato con bassa resistenza in stato attivo. Questo MOSFET audio digitale è progettato appositamente per applicazioni di amplificatori audio di classe D. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Inoltre, la carica di gate, il recupero inverso corpo-diodo e la resistenza di gate interna sono ottimizzati per migliorare i principali fattori di prestazioni dell'amplificatore audio di classe D, come efficienza, THD ed EMI. Il dispositivo IRF6785MPbF utilizza la tecnologia di packaging DirectFETTM. La tecnologia del contenitore DirectFETTM offre una minore induttanza parassita e resistenza rispetto al contenitore SOIC tradizionale legato a filo.
La più recente tecnologia al silicio MOSFET
Parametri chiave ottimizzati per applicazioni di amplificatori audio di classe D.
Compatibile con il raffreddamento a due lati
Senza piombo (con qualifica fino a 260 °C di riflusso)
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