MOSFET Infineon, canale N, 0,015 Ω, 55 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® ha una tensione di sorgente di drain massima di 80V in un contenitore DirectFET MZ con valore nominale di 55 ampere ottimizzato con bassa resistenza in stato attivo. Il modello IRF6668PbF combina la più recente tecnologia in silicio MOSFET di potenza HEXFET® con l'Advanced DirectFETTM Packaging per ottenere la resistenza in stato attivo più bassa in un contenitore che ha l'ingombro di UN profilo SO-8 e solo 0,7 mm. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio su circuito stampato e tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a convezione. La nota applicativa AN-1035 è seguita per quanto riguarda i metodi e i processi di fabbricazione. Il contenitore DirectFET consente il raffreddamento su due lati per ottimizzare il trasferimento termico nei sistemi di alimentazione, migliorando la migliore resistenza termica precedente dell'80%.

Senza piombo (con qualifica fino a 260 °C di riflusso)
Ideale per connettore femmina interruttore primario convertitore isolato ad alte prestazioni
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Basse perdite di conduzione
Elevata immunità CDV/dt