MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7 mΩ Miglioramento, 86 A, 4 Pin, MN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*

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*prezzo indicativo

Codice RS:
168-5958
Codice costruttore:
IRF6648TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

MN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.05 mm

Lunghezza

6.35mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon


Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate.

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Transistor MOSFET, Infineon


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