MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 7 Pin, WDSON, Superficie BSB028N06NN3GXUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4306
Codice costruttore:
BSB028N06NN3GXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

WDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.35mm

Altezza

0.53mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

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Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N, livello logico

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Resistenza R DS(on) molto bassa

Placcatura senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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