MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 45 mΩ Miglioramento, 15 A, 6 Pin, MG-WDSON, Superficie BSF450NE7NH3XUMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 15 unità*

20,115 €

(IVA esclusa)

24,54 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4230 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
15 - 601,341 €20,12 €
75 - 1351,275 €19,13 €
150 - 3601,248 €18,72 €
375 - 7351,167 €17,51 €
750 +1,087 €16,31 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8982
Codice costruttore:
BSF450NE7NH3XUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

MG-WDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.2nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.49mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon di tecnologia OptiMOS 75V è specializzata in applicazioni di rettifica sincrona. Basati sulla tecnologia 80V leader del settore, questi prodotti 75V sono dotati contemporaneamente di resistenze in stato attivo più basse e prestazioni di commutazione superiori. Richiede il minimo consumo di spazio su scheda. La R DS(on) più bassa al mondo, con una maggiore efficienza ed è a basso impatto ambientale.

Bassa induttanza parassita

Testato con effetto valanga al 100%

È costituito da raffreddamento su due lati

Link consigliati