MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 10.4 mΩ Miglioramento, 50 A, 7 Pin, MG-WDSON, Superficie

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Codice RS:
214-8966
Codice costruttore:
BSB104N08NP3GXUSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

MG-WDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.05mm

Altezza

0.7mm

Larghezza

6.35 mm

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon OptiMOS è leader di mercato nelle soluzioni altamente efficienti per la generazione di energia (ad es. Micro inverter solare), l'alimentazione (ad es. Server e telecomunicazioni) e il consumo energetico (ad es. Veicolo elettrico). Questi sono costituiti da una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica, in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati.

Bassa induttanza parassita

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Raffreddamento su due lati

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