MOSFET Infineon, canale N, 12 A, MG-WDSON-5, Montaggio superficiale

La tecnologia Infineon HEXFET Power MOSFET Silicon con l'avanzata confezione DirectFETTM per ottenere la più bassa resistenza on-state in una confezione che ha l'impronta di un SO-8 e solo 0,7 mm di profilo. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio per circuito stampato e tecniche di saldatura in fase di vapore, a infrarossi o a convezione. La nota di applicazione AN-1035 è seguita per quanto riguarda i metodi e i processi di fabbricazione.

MOSFET specifici per applicazioni
Ideale per convertitori isolati ad alte prestazioni
Connettore femmina per interruttore primario
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Basse perdite di conduzione
Elevata immunità Cdv/dt
Profilo basso (<0,7 mm)
Compatibile con raffreddamento su due lati
Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti