MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ, 68 A, WDSON, Superficie IRF6646TRPBF
- Codice RS:
- 258-3963
- Codice costruttore:
- IRF6646TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3963
- Codice costruttore:
- IRF6646TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 68A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | WDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 89W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 68A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package WDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 89W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La tecnologia Infineon HEXFET Power MOSFET Silicon con l'avanzata confezione DirectFETTM per ottenere la più bassa resistenza on-state in una confezione che ha l'impronta di un SO-8 e solo 0,7 mm di profilo. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio per circuito stampato e tecniche di saldatura in fase di vapore, a infrarossi o a convezione. La nota di applicazione AN-1035 è seguita per quanto riguarda i metodi e i processi di fabbricazione.
MOSFET specifici per applicazioni
Ideale per convertitori isolati ad alte prestazioni
Connettore femmina per interruttore primario
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Basse perdite di conduzione
Elevata immunità Cdv/dt
Profilo basso (<0,7 mm)
Compatibile con raffreddamento su due lati
Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti
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