MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.4 mΩ, 180 A, WDSON, Superficie

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Codice RS:
258-3966
Codice costruttore:
IRF6727MTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDSON

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.77V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET è ottimizzata per bassa RDS(on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Corrente nominale elevata

Capacità di raffreddamento su due lati

Bassa altezza del contenitore di 0,7 mm

Fattore di forma compatto

Elevata efficienza

Ecocompatibile

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