MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ, 68 A, WDSON, Superficie

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Codice RS:
258-3962
Codice costruttore:
IRF6646TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

WDSON

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.5mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La tecnologia Infineon HEXFET Power MOSFET Silicon con l'avanzata confezione DirectFETTM per ottenere la più bassa resistenza on-state in una confezione che ha l'impronta di un SO-8 e solo 0,7 mm di profilo. Il contenitore DirectFET è compatibile con le geometrie di layout esistenti utilizzate in applicazioni di potenza, apparecchiature di assemblaggio per circuito stampato e tecniche di saldatura in fase di vapore, a infrarossi o a convezione. La nota di applicazione AN-1035 è seguita per quanto riguarda i metodi e i processi di fabbricazione.

MOSFET specifici per applicazioni

Ideale per convertitori isolati ad alte prestazioni

Connettore femmina per interruttore primario

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Basse perdite di conduzione

Elevata immunità Cdv/dt

Profilo basso (<0,7 mm)

Compatibile con raffreddamento su due lati

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

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