MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 10.4 mΩ Miglioramento, 50 A, 7 Pin, MG-WDSON, Superficie BSB104N08NP3GXUSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8967
Codice costruttore:
BSB104N08NP3GXUSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

MG-WDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.05mm

Altezza

0.7mm

Larghezza

6.35 mm

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon OptiMOS è leader di mercato nelle soluzioni altamente efficienti per la generazione di energia (ad es. Micro inverter solare), l'alimentazione (ad es. Server e telecomunicazioni) e il consumo energetico (ad es. Veicolo elettrico). Questi sono costituiti da una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica, in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati.

Bassa induttanza parassita

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Raffreddamento su due lati

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