MOSFET Infineon 25 V, 2.1 mΩ, 220 A, WDSON, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*

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Codice RS:
258-3964
Codice costruttore:
IRF6717MTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

220A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

HEXFET

Tipo di package

WDSON

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.1mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET è ottimizzata per bassa RDS(on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Corrente nominale elevata

Capacità di raffreddamento su due lati

Fattore di forma compatto

Elevata efficienza

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