MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 217-2571
- Codice costruttore:
- IPP80R900P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,357 € | 67,85 € |
| 100 - 200 | 1,099 € | 54,95 € |
| 250 - 450 | 1,031 € | 51,55 € |
| 500 - 950 | 0,977 € | 48,85 € |
| 1000 + | 0,936 € | 46,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2571
- Codice costruttore:
- IPP80R900P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 900mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 45W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Larghezza | 4.57 mm | |
| Altezza | 29.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 900mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 45W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Larghezza 4.57 mm | ||
Altezza 29.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.
FOM R DS(on) * e oss migliore della categoria; Qg, C ISS e C oss ridotti
DPAK R DS(on) migliore della categoria di 280mΩ
V (GS)th migliore della categoria di 3V e V (GS)th di variazione minima Di ± 0,5 V.
Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)
Qualità e affidabilità migliori della categoria
Portafoglio completamente ottimizzato