MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 8.2 mΩ Miglioramento, 86 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR3709ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2622
Codice costruttore:
IRFR3709ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.37mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 30V in contenitore D-Pak.

RDS(ON) molto bassa a 4,5 V VGS

Bassissima impedenza gate

Tensione effetto valanga completamente caratterizzata

E corrente

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