MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 8.2 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD082N10N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9029
Codice costruttore:
IPD082N10N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza OptiMOS 100V Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza. Rispetto alla più prossima tra le migliori tecnologie, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) sia in FOM (figura di merito). Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. Le applicazioni potenziali includono amplificatori audio di classe D, convertitori c.c.-c.c. isolati, ecc.

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target

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