MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 8.2 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB80N06S2L09ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9026
Codice costruttore:
IPB80N06S2L09ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Il prodotto è certificato AEC Q101 per il settore automobilistico

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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