MOSFET Infineon, canale Tipo N 550 V, 800 mΩ N, 7.6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA50R800CEXKSA2
- Codice RS:
- 218-2992
- Codice costruttore:
- IPA50R800CEXKSA2
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
6,225 €
(IVA esclusa)
7,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 400 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,249 € | 6,23 € |
| 125 - 225 | 0,194 € | 4,85 € |
| 250 - 600 | 0,182 € | 4,55 € |
| 625 - 1225 | 0,169 € | 4,23 € |
| 1250 + | 0,157 € | 3,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-2992
- Codice costruttore:
- IPA50R800CEXKSA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 550V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 800mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.83V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 16.15mm | |
| Altezza | 29.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.9 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 550V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione diretta Vf 0.83V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 16.15mm | ||
Altezza 29.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.9 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon 500V CoolMOS™ CE. CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Questo MOSFET è utilizzato in stadi PFC, stadi PWM a commutazione rigida e stadi di commutazione risonante, ad esempio PC Silverbox, adattatore, TV LCD e PDP e illuminazione interna.
Robustezza di commutazione molto elevata
Facile da usare/guidare
Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni