MOSFET Infineon, canale Tipo N 550 V, 800 mΩ N, 7.6 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
218-2991
Codice costruttore:
IPA50R800CEXKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

550V

Tipo di package

TO-220

Serie

500V CoolMOS CE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

0.83V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.9 mm

Lunghezza

16.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

29.75mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon 500V CoolMOS™ CE. CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Questo MOSFET è utilizzato in stadi PFC, stadi PWM a commutazione rigida e stadi di commutazione risonante, ad esempio PC Silverbox, adattatore, TV LCD e PDP e illuminazione interna.

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare/guidare

Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni

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