MOSFET Infineon, canale N 600 V, 280 mΩ N, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA60R280P7SXKSA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N a commutazione di potenza progettato per l'assemblaggio a foro passante in contenitori TO-220 e destinato ad applicazioni ad alta tensione. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è adatto nei casi in cui è richiesta la commutazione controllata di una corrente di drenaggio consistente. Il dispositivo accetta tensioni di gate-drive fino ai limiti specificati e offre modeste perdite di conduzione in avanti per attività di commutazione efficienti.

• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 12 A supporta la gestione del carico sostenuto
• L'Rds(on) di 280 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza massima di 24 W gestisce il carico termico durante l'uso
• La tolleranza del gate di 30 V consente una robusta flessibilità dell'azionamento del gate
• La tensione diretta di 0,9 V riduce la caduta di tensione nello stato di conduzione

• Adatto per convertitori di potenza in sistemi ad alta tensione
• Ideale per gli alimentatori switching che richiedono un montaggio a foro passante
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore con requisiti di corrente di fascia media
• Può essere utilizzato per circuiti di commutazione industriali a temperature elevate
• Adatto per schede prototipali che necessitano di una facile sostituzione dei componenti

È progettato per funzionare da -40 °C fino a +150 °C.

Il dispositivo utilizza un formato di cavo a foro passante in un contenitore TO-220 per un montaggio sicuro.

Utilizza una configurazione a canale N che funziona in modalità di potenziamento standard.

Non è specificato come conforme alle norme automobilistiche e deve essere valutato prima dell'uso del veicolo.

La tensione da drain a sorgente non deve superare i 600 V e la tensione da gate a sorgente deve rimanere entro ±30 V.