MOSFET Infineon, canale N 600 V, 2.1 Ω, 3.7 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante
- Codice RS:
- 218-3081
- Codice costruttore:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 75 unità, in un tubo da 75*
21,45 €
(IVA esclusa)
26,17 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 8775 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,286 € | 21,45 € |
| 150 - 300 | 0,22 € | 16,50 € |
| 375 - 675 | 0,206 € | 15,45 € |
| 750 - 1800 | 0,191 € | 14,33 € |
| 1875 + | 0,177 € | 13,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3081
- Codice costruttore:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.1Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 22W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.41mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.1Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 22W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.41mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon 600V CoolMOS™ CE. La serie CoolMOS™ CE offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo/prestazioni disponibile sul mercato. Questo MOSFET è utilizzato in stadi PFC, stadi PWM a commutazione hard e stadi di commutazione risonanti.
Robustezza di commutazione molto elevata
Facile da usare/guidare
Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2.1 Ω 3 Pin Foro passante IPU60R2K1CEAKMA1
- MOSFET Infineon 600 mΩ3 A Su foro
- MOSFET Infineon 1.5 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 1.5 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante IPU60R1K5CEAKMA2
- Transistor MOSFET Infineon 6 mΩ IPAK, Su foro
- MOSFET Infineon 3.7 A Superficie
- MOSFET Infineon 3.7 A Superficie IPD60R2K1CEAUMA1
- MOSFET Infineon 7.9 mΩ 3 Pin Foro passante