MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 13.8 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IPW60R280P6FKSA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,68 €

(IVA esclusa)

16,69 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 202,736 €13,68 €
25 - 452,464 €12,32 €
50 - 1202,30 €11,50 €
125 - 2452,136 €10,68 €
250 +1,97 €9,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3089
Codice costruttore:
IPW60R280P6FKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon CoolMOS™ P6 600V. CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Viene utilizzato in stadi PFC, stadi PWM a commutazione forte e stadi di commutazione risonanti per es. PC Silverbox, adattatore, TV LCD e PDP, illuminazione, server, telecomunicazioni e UPS.

Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare/guidare

Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni

Link consigliati