MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 5.8 mΩ, 128 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
218-3117
Codice costruttore:
IRFS3307ZTRRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

128A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.8mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.65mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo D2PAK (TO-263).

Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga

Diodo incorporato ottimizzato DV/dt e di/dt

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