MOSFET Infineon, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 218-3117
Codice costruttore:: IRFS3307ZTRRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 218-3117
Codice costruttore:: IRFS3307ZTRRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IRFS3307ZTRRPBF

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	128 A
Tensione massima drain source	75 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0,0058 Ω
Tensione di soglia gate massima	4V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si

MOSFET Infineon, canale N, 0,0058 Ω, 128 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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