MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 32 mΩ, 51 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

828,00 €

(IVA esclusa)

1010,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3200 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 - 8001,035 €828,00 €
1600 +1,009 €807,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
218-3119
Codice costruttore:
IRFS52N15DTRLP
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

32mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83 mm

Lunghezza

10.67mm

Altezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET IR a canale N singolo della serie IRFS Infineon. Questo MOSFET è utilizzato in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza, display al plasma, ecc.

Senza piombo

Significativa riduzione delle perdite di commutazione

Link consigliati