MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 100 V, 45 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AUIRFP4110

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7345
Codice costruttore:
AUIRFP4110
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

370W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.87mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.31mm

Larghezza

20.7 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon AUIRFP4110, progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Advanced Process Technology

Bassissima resistenza in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

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