MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 100 V, 45 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AUIRFP4110
- Codice RS:
- 220-7345
- Codice costruttore:
- AUIRFP4110
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
15,53 €
(IVA esclusa)
18,946 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 266 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 7,765 € | 15,53 € |
| 10 - 18 | 6,91 € | 13,82 € |
| 20 - 48 | 6,445 € | 12,89 € |
| 50 - 98 | 5,975 € | 11,95 € |
| 100 + | 5,59 € | 11,18 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7345
- Codice costruttore:
- AUIRFP4110
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 370W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.31mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 370W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.31mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFP4110, progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Process Technology
Bassissima resistenza in stato attivo
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Link consigliati
- MOSFET e diodo Infineon 45 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 4 Pin, TO-247
- MOSFET Infineon 180 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 180 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 4 Pin, TO-247 IMZ120R045M1XKSA1
- MOSFET Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP4110PBF
- MOSFET Infineon 180 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R180C7XKSA1