MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 83 A, 10 Pin, HDSOP, Superficie

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Codice RS:
220-7417
Codice costruttore:
IPDD60R080G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

83A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

HDSOP

Serie

C7 GOLD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

174W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Larghezza

2.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.11mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

Le tecnologie Infineon introducono il DPAK doppio (DDPAK), il primo contenitore per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) raffreddato dall'alto che indirizza applicazioni SMPS ad alta potenza come l'alimentazione per PC, solare, server e telecomunicazioni. I vantaggi dei MOSFET a super giunzione (SJ) 600V Cool MOS G7 già esistenti in alta tensione si combinano con il concetto innovativo di raffreddamento dall'alto, fornendo una soluzione di sistema per topologie a commutazione rigida a corrente elevata come PFC e una soluzione di efficienza high-end per le topologie LLC.

Garantisce RDS(ON) FOM migliore della categoria x Eoss e RDS(ON) x Qg

Innovativo concetto di raffreddamento dall'alto

Configurazione della sorgente Kelvin con pin 4th integrata e bassa sorgente parassita induttanza

Capacità TCOB di >> 2.000 cicli, Conformità MSL1 e totale senza piombo

Massima efficienza energetica

Il disaccoppiamento termico di scheda e semiconduttore consente di superare il problema termico Limiti PCB

La ridotta induttanza parassita della sorgente migliora l'efficienza e la facilità d'uso

Consente soluzioni con maggiore densità di potenza

Superiore ai più elevati standard di qualità

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