MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 396 A, 16 Pin, HDSOP, Superficie
- Codice RS:
- 233-4372
- Codice costruttore:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*
6609,60 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1800 + | 3,672 € | 6.609,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 233-4372
- Codice costruttore:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 396A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | HDSOP | |
| Serie | IPTC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 175nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.35mm | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 10.3 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 396A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package HDSOP | ||
Serie IPTC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 175nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.35mm | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 10.3 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon IPTC012N08NM5 fa parte del MOSFET di potenza OptiMOS 5 in contenitore TOLT con raffreddamento lato superiore Top-Leaded per prestazioni termiche superiori. Questo innovativo contenitore, combinato con le caratteristiche principali della tecnologia OptiMOS 5, consente di ottenere i migliori prodotti della categoria a 80 V e un'elevata corrente nominale di 300 A per progetti ad alta densità di potenza. Con la configurazione Top Side Cooling, lo scarico è esposto alla superficie del contenitore e il 95% della dissipazione del calore può essere promosso direttamente al dissipatore di calore ottenendo il 20% di RthJA migliore e il 50% di RthJC migliorato rispetto al pacchetto DI PEDAGGIO. Con contenitori di raffreddamento sul lato inferiore come A PEDAGGIO o D2PAK, il calore viene dissipato tramite il circuito stampato al dissipatore causando elevate perdite di potenza.
Stand-off negativo
Risparmio nell'impianto di raffreddamento
Maggiore efficienza del sistema per una maggiore durata della batteria
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