MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 396 A, 16 Pin, HDSOP, Superficie IPTC012N08NM5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-4373
Codice costruttore:
IPTC012N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

396A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HDSOP

Serie

IPTC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

175nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.3 mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon IPTC012N08NM5 fa parte del MOSFET di potenza OptiMOS 5 in contenitore TOLT con raffreddamento lato superiore Top-Leaded per prestazioni termiche superiori. Questo innovativo contenitore, combinato con le caratteristiche principali della tecnologia OptiMOS 5, consente di ottenere i migliori prodotti della categoria a 80 V e un'elevata corrente nominale di 300 A per progetti ad alta densità di potenza. Con la configurazione Top Side Cooling, lo scarico è esposto alla superficie del contenitore e il 95% della dissipazione del calore può essere promosso direttamente al dissipatore di calore ottenendo il 20% di RthJA migliore e il 50% di RthJC migliorato rispetto al pacchetto DI PEDAGGIO. Con contenitori di raffreddamento sul lato inferiore come A PEDAGGIO o D2PAK, il calore viene dissipato tramite il circuito stampato al dissipatore causando elevate perdite di potenza.

Stand-off negativo

Risparmio nell'impianto di raffreddamento

Maggiore efficienza del sistema per una maggiore durata della batteria

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