MOSFET Infineon, canale N 80 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 400 A, 16 Pin, HDSOP, Superficie IAUS300N08S5N011TATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alta corrente progettato per ambienti automobilistici e industriali impegnativi, che offre il funzionamento in modalità di potenziamento a canale N in un pacchetto compatto a montaggio superficiale. È progettato per controllare grandi correnti di drenaggio e resistere a temperature elevate, fornendo al contempo basse perdite di conduzione per la conversione di potenza e le applicazioni di commutazione.

• La corrente di drenaggio continua di 400 A fornisce capacità di commutazione ad alta corrente
• Rds(on) di 1,1 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante i cicli di carico
• Il valore nominale drain-source di 80 V consente la compatibilità con sistemi a tensione più elevata
• La dissipazione di potenza massima di 375 W supporta il carico termico per impieghi gravosi
• La tolleranza gate di ±20 V consente tensioni di azionamento gate robuste
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C consente un'ampia affidabilità di temperatura

• Adatto per gli stadi dell'inverter del gruppo motopropulsore per uso automobilistico
• Ideale per i convertitori CC-CC ad alta corrente nei veicoli
• Utilizzato con i controller dei motori di trazione nei veicoli elettrici
• Può essere utilizzato per la commutazione di azionamenti di motori industriali
• Utilizzato per la gestione e la distribuzione di batterie ad alta potenza

È fornito in un contenitore HDSOP progettato per il montaggio superficiale che facilita i layout della scheda compatta e la gestione termica.

Il diodo intrinseco presenta una tensione diretta di 1,2 V che segnala le perdite di conduzione durante gli intervalli di rotazione libera.

Il componente fornisce 16 pin per supportare gate, drain e source routing per progetti di schede ad alta corrente.

Il dispositivo utilizza un canale di tipo N che funziona in modalità di potenziamento, adatto per architetture gate-drive MOSFET standard.