Infineon, canale Tipo N, 0.12 Ω 650 V, 78 A Miglioramento, TO-247-4, Foro passante, 4 Pin IPZA60R120P7XKSA1

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Codice RS:
220-7467
Codice costruttore:
IPZA60R120P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

78A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Il MOSFET a super giunzione (SJ) Cool MOS P7 da 600 V di Infineon è il successore della serie Cool MOS P6 da 600 V. Continua a bilanciare l'esigenza di elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della sua classe e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma Cool MOS di 7a generazione ne garantiscono l'elevata efficienza.

600V P7 consente un'eccellente RDS(on)xEoss e RDS(on)xQG FOM

Robustezza ESD di ≥ 2 kV (HBM classe 2)

Resistenza gate RG integrata

Diodo corpo robusto

Ampio portafoglio in contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e di grado industriale

Eccellenti FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss consentono una maggiore efficienza

Facilità d'uso in ambienti di produzione impedendo il verificarsi di guasti ESD

RG integrato riduce la sensibilità all'oscillazione MOSFET

Il MOSFET è adatto per le topologie di commutazione rigide e risonanti come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo osservata nella topologia LLC

Adatto per un'ampia varietà di applicazioni terminali e potenze di uscita

Ricambi disponibili adatti per applicazioni di consumo e industriali

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