MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 1.74 mΩ Miglioramento, 170 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS1D7N03CGT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6730
Codice costruttore:
NTMFS1D7N03CGT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

NTMFS1D7N

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.74mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

87W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Larghezza

1.1 mm

Altezza

6.3mm

Lunghezza

5.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza 30V on Semiconductor ha utilizzato 170 A di corrente di drain con canale N−singolo. Migliora la gestione della corrente di spunto e migliora l'efficienza del sistema.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

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