MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.3 mΩ Miglioramento, 113 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS4D2N10MDT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6732
Codice costruttore:
NTMFS4D2N10MDT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

113A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTMFS4D2N

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.3mm

Larghezza

1.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET MV a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando un Advanced Power Trench che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione con Qg e Qoss molto bassi.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

QRR basso, diodo corpo a recupero morbido

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