MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 105 A, 5 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 221-6719
- Codice costruttore:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Scorte limitate
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- Codice RS:
- 221-6719
- Codice costruttore:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 105A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | NTMFS005N | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 6.3mm | |
| Larghezza | 1.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | |
| Lunghezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 105A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie NTMFS005N | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 6.3mm | ||
Larghezza 1.1 mm | ||
Standard/Approvazioni Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | ||
Lunghezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza industriale on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 5x6mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
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