Mezzo ponte MOSFET onsemi, canale Tipo N, 0.082 Ω 650 V, 26 A, APMCA-A16, Foro passante, 16 Pin NXV65HR82DS1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6762
Codice costruttore:
NXV65HR82DS1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NXV65HR

Tipo di package

APMCA-A16

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.082Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

128W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Mezzo ponte

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

22.1 mm

Lunghezza

40.3mm

Altezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il caricabatterie a bordo scheda H-bridge on Semiconductor serie APM16 per LLC e convertitore c.c.-c.c. a commutazione di fase. Consente la progettazione di un sistema piccolo, efficiente e affidabile per ridurre il consumo di carburante dei veicoli e le emissioni di CO2. È dotato di Al²O³ superFET3 H-bridge su substrato DBC 82mΩ con isolamento a 5 kV in un modulo stampato di trasferimento APM16 compatto.

Substrato isolato elettricamente a 5 kV/1 s per un facile assemblaggio

Design compatto per una bassa resistenza totale del modulo

Serializzazione dei moduli per una tracciabilità completa

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