Mezzo ponte MOSFET onsemi, canale Tipo N, 0.082 Ω 650 V, 26 A, APMCA-A16, Foro passante, 16 Pin NXV65HR82DZ1
- Codice RS:
- 221-6766
- Codice costruttore:
- NXV65HR82DZ1
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 221-6766
- Codice costruttore:
- NXV65HR82DZ1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | APMCA-A16 | |
| Serie | NXV65HR | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.082Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 128W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Mezzo ponte | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.7mm | |
| Larghezza | 22.1 mm | |
| Lunghezza | 40.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package APMCA-A16 | ||
Serie NXV65HR | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.082Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 128W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Mezzo ponte | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.7mm | ||
Larghezza 22.1 mm | ||
Lunghezza 40.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il caricabatterie a bordo scheda H-bridge on Semiconductor serie APM16 per LLC e convertitore c.c.-c.c. a commutazione di fase. Consente la progettazione di un sistema piccolo, efficiente e affidabile per ridurre il consumo di carburante dei veicoli e le emissioni di CO2. È dotato di Al²O³ superFET3 H-bridge su substrato DBC 82mΩ con isolamento a 5 kV in un modulo stampato di trasferimento APM16 compatto.
Substrato isolato elettricamente a 5 kV/1 s per un facile assemblaggio
Design compatto per una bassa resistenza totale del modulo
Serializzazione dei moduli per una tracciabilità completa
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