2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo N, 17 mΩ, 3 A 100 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1425,00 €

(IVA esclusa)

1750,00 €

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2500 +0,57 €1.425,00 €

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Codice RS:
222-4375
Codice costruttore:
SP8K52HZGTB
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOP

Serie

SP8K52

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

6 mm

Altezza

1.75mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di qualità per uso automobilistico ROHM SP8K52HZG n qualificato CE-Q101. Due MOSFET NCH 100V sono inclusi nel contenitore SOP8. Diodo di protezione ESD incorporato. Ideale per le applicazioni di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Involucro compatto per montaggio superficiale (SOP8)

Placcatura senza piombo ; Conformità RoHS

Qualifica AEC-Q101

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