2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo N, 17 mΩ, 3 A 100 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin SP8K52HZGTB
- Codice RS:
- 222-4376
- Codice costruttore:
- SP8K52HZGTB
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,57 € | 15,70 € |
| 50 - 90 | 1,538 € | 15,38 € |
| 100 - 240 | 1,394 € | 13,94 € |
| 250 - 990 | 1,258 € | 12,58 € |
| 1000 + | 1,229 € | 12,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4376
- Codice costruttore:
- SP8K52HZGTB
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOP | |
| Serie | SP8K52 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Larghezza | 6 mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOP | ||
Serie SP8K52 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.75mm | ||
Larghezza 6 mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di qualità per uso automobilistico ROHM SP8K52HZG n qualificato CE-Q101. Due MOSFET NCH 100V sono inclusi nel contenitore SOP8. Diodo di protezione ESD incorporato. Ideale per le applicazioni di commutazione.
Bassa resistenza in stato attivo
Involucro compatto per montaggio superficiale (SOP8)
Placcatura senza piombo ; Conformità RoHS
Qualifica AEC-Q101
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