2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo N, Tipo P, 46 mΩ, 6 A 45 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin SP8M21HZGTB
- Codice RS:
- 222-4378
- Codice costruttore:
- SP8M21HZGTB
- Costruttore:
- ROHM
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
16,44 €
(IVA esclusa)
20,055 €
(IVA inclusa)
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- 2400 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,288 € | 16,44 € |
| 50 - 95 | 2,878 € | 14,39 € |
| 100 - 245 | 2,558 € | 12,79 € |
| 250 - 995 | 2,30 € | 11,50 € |
| 1000 + | 2,252 € | 11,26 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4378
- Codice costruttore:
- SP8M21HZGTB
- Costruttore:
- ROHM
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 45V | |
| Tipo di package | SOP | |
| Serie | SP8M21 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 46mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6 mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 45V | ||
Tipo di package SOP | ||
Serie SP8M21 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 46mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6 mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
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