MOSFET Infineon, canale N 900 V, 450 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA95R450P7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4647
- Codice costruttore:
- IPA95R450P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 5 unità, in una confezione da 5*
15,33 €
(IVA esclusa)
18,71 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 75 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,066 € | 15,33 € |
| 25 - 45 | 2,418 € | 12,09 € |
| 50 - 120 | 2,266 € | 11,33 € |
| 125 - 245 | 2,114 € | 10,57 € |
| 250 + | 1,964 € | 9,82 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4647
- Codice costruttore:
- IPA95R450P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 900V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 450mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 30W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 900V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 30W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie CoolMOS, tensione di sorgente di drenaggio 900 V, corrente di drenaggio continua 14 A - IPA95R450P7XKSA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo in sistemi elettrici impegnativi. Si tratta di un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N fornito in un contenitore TO-220 per il montaggio superficiale, progettato per applicazioni che richiedono una tensione di blocco sostanziale e una corrente continua moderata mentre funzionano in un ampio intervallo di temperatura.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 900 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 14 A supporta una corrente di carico notevole
• L'Rds(on) di 450 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 30 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La tensione diretta di 0,9 V riduce la conduzione da corpo a corpo
• Il valore nominale gate-source di 30 V consente tensioni di azionamento gate tipiche
• La corrente di drenaggio continua di 14 A supporta una corrente di carico notevole
• L'Rds(on) di 450 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 30 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La tensione diretta di 0,9 V riduce la conduzione da corpo a corpo
• Il valore nominale gate-source di 30 V consente tensioni di azionamento gate tipiche
Applicazioni
• Adatto per alimentatori industriali ad alta tensione
• Ideale per le fasi di conversione dell'alimentazione in modalità commutata
• Utilizzato per la commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per circuiti a morsetto ad alta tensione
• Utilizzato con gestione termica in sistemi a temperatura elevata
• Ideale per le fasi di conversione dell'alimentazione in modalità commutata
• Utilizzato per la commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per circuiti a morsetto ad alta tensione
• Utilizzato con gestione termica in sistemi a temperatura elevata
Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?
Funziona in un intervallo di temperatura ambiente compreso tra -55 °C e +150 °C.
Quale tipo di montaggio è necessario per l'assemblaggio dei circuiti?
Viene fornito in un contenitore TO-220 progettato per il montaggio superficiale.
In che modo l'azionamento del gate è limitato dai valori nominali del dispositivo?
La tensione massima ammissibile gate-sorgente è di 30 V, pertanto l'azionamento gate non deve superare questa tensione.
Quale caratteristica di conduzione influisce sulle perdite di commutazione?
Il dispositivo ha una resistenza massima drain-source di 450 mΩ che influisce sulle perdite di conduzione.
Quanta corrente continua può sostenere in condizioni nominali?
Può trasportare una corrente di drenaggio continua fino a 14 A.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 450 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 900 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 900 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPA70R900P7SXKSA1
- MOSFET Infineon 900 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 900 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 450 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 900 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPAN70R900P7SXKSA1
- MOSFET Infineon 900 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPP80R900P7XKSA1
