MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 350 mΩ Miglioramento, 4.7 A, 4 Pin, TO-247, Superficie IMZ120R350M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4873
Codice costruttore:
IMZ120R350M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

IMZ1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ in contenitore TO247-4 realizzato su un processo semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia.

Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria

Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V.

Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice

Ampia gamma di tensione gate-source

Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida

Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura

Pin sorgente driver per prestazioni di commutazione ottimizzate

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