MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 55 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R055CFD7ATMA1
- Codice RS:
- 222-4889
- Codice costruttore:
- IPB60R055CFD7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
13,04 €
(IVA esclusa)
15,90 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 12 unità per ottenere la consegna gratuita
In magazzino
- 360 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,52 € | 13,04 € |
| 10 - 18 | 5,87 € | 11,74 € |
| 20 - 48 | 5,48 € | 10,96 € |
| 50 - 98 | 5,155 € | 10,31 € |
| 100 + | 4,765 € | 9,53 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4889
- Codice costruttore:
- IPB60R055CFD7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IPA60R | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 55mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IPA60R | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 55mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET CFD7 supergiunzione Infineon CoolMOS™ 600V IPB60R055CFD7 in D2PAK contenitore Come successore della famiglia MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con carica di gate ridotta, comportamento di spegnimento migliorato e fino al 69% di carica di recupero inverso ridotta rispetto alla concorrenza.
Diodo corpo ultra-rapido
Carica di recupero inverso (Qrr) migliore della categoria
Diodo inverso dv/dt e robustezza dif/dt migliorati
RDS(ON) FOM minimo x Qg ed EOSS
Migliori combinazioni RDS(ON)/contenitore della categoria
Link consigliati
- MOSFET Infineon 55 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 55 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET singoli Infineon 55 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IPT60R055CM8XTMA1
- MOSFET Infineon 55 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R055CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 5.2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 11 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 7.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
