2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo N, Tipo P, 0.08 Ω, 7 A 30 V, DFN, Superficie Miglioramento, 9 Pin HS8MA2TCR1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
223-6203
Codice costruttore:
HS8MA2TCR1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.08Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

4W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

0.8mm

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a piccolo segnale ROHM ha un tipo di contenitore TSMT8. È utilizzato principalmente per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni

Placcatura senza piombo, conformità RoHS