2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo P, 2.8 Ω, 2.5 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 7 Pin UT6JC5TCR
- Codice RS:
- 223-6398
- Codice costruttore:
- UT6JC5TCR
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,385 € | 9,63 € |
| 50 - 75 | 0,378 € | 9,45 € |
| 100 - 225 | 0,269 € | 6,73 € |
| 250 - 975 | 0,264 € | 6,60 € |
| 1000 + | 0,226 € | 5,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 223-6398
- Codice costruttore:
- UT6JC5TCR
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.8Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Larghezza | 2 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.65mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.8Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Lunghezza 2mm | ||
Larghezza 2 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.65mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a piccolo segnale ROHM ha un tipo di contenitore DFN1010-3W. È utilizzato principalmente per circuiti di commutazione, interruttore di carico high side e driver relè.
Cuscinetto di drenaggio esposto e ultra piccolo senza terminali per un'eccellente conduzione termica in contenitore di plastica SMD
Fiancate bagnabili laterali per l'ispezione ottica automatizzata della saldatura
Qualifica AEC-Q101
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